系统研究微孔配位聚合物的形成方法，规律，结构和作为氢等战略分子的储存性能。同时对性孔配位聚合物的结构和储存性能之间的构效关系进行有益的探索。这一问题的解决不仅能探索微孔配位聚合物的微观结构和吸附性能的
申请（专利权）人：BI539622664
金属碳是当前碳材料研究的热点之一：一维碳纳米管的金属性依赖于其手征性且实验中难以实现可控生长和分离；二维的石墨烯因其费米面处的电子态密度为零表现出半金属性；三维的金刚石是半导体。此前日本科学家提出的K
申请（专利权）人：BI245486940
一种新型θ网环复合填料--RD填料，有机地将反应所需的催化剂颗粒与精馏传质所需的θ网环填料整合为一体，研制成可装载固体催化剂的催化反应精馏θ网环复合填料。它是由整块丝网材料制作成的正多棱柱体、正多棱柱
申请（专利权）人：BI903236553
醋酸丁酯是重要的基础有机化工原料，大量用作各过程的溶剂、萃取剂和脱水剂。但国内目前生产过程依然采用传统的硫酸催化酯化—反应后再分离工艺。由于硫酸腐蚀性和氧化性强，设备腐蚀与副反应严重，酯化过程也需在传
申请（专利权）人：BI151537928
该项目的研发成功为65nm及其以下节点碱性抛光液产业化奠定了良好基础。目前，该团队又在承担20-14nm前瞻性多层布线碱性CMP抛光液与碱性清洗剂研发项目。
申请（专利权）人：BI884111481
以天然生物材料，表面活化的纤维材料，机械强度良好，可控降解性能良好，2分钟内止住动脉出血的快速止血材料。
申请（专利权）人：BI002402310
主要产品有： 1、合金类：Mg/Al合金抛光液、W-Mo合金材料抛光液、FA/O硅单晶衬底材料抛光液、纳米硅溶胶、计算机硬盘抛光液 2、硅衬底材料加工类：FA/O清洗剂、半导体材料线切割液、FA/O磨
申请（专利权）人：BI428550999
InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术，研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s，达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电
申请（专利权）人：BI193319123
用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法在γ
申请（专利权）人：BI889373339
SiC肖特基功率二极管在美国已经实现产业化，但受到SiC衬底技术垄断等因素的限制，SiC肖特基功率二极管的价格非常昂贵，无法实现大范围推广。相比之下，GaN技术没有材料来源上的限制；而且，由于GaN材
申请（专利权）人：BI375186412
微纳米光纤，具有一系列独特的优点：大的消逝场；高的非线性，极低的损耗；容易弯曲成环等不同的几何形状。
申请（专利权）人：BI733910984
稀土永磁材料是现在已知的综合性能最高的一种永磁材料，比铁氧体、铝镍钴性能优越得多，比昂贵的铂钴合金的磁性能还高一倍，它促进了永磁器件向高性能、小型化发展。低成本高性能纳米复合NdFeB粘结永磁体，Nd
申请（专利权）人：BI167052753
